PSA 核心工艺：采用变压吸附技术，通过高品质碳分子筛对氧氮的选择性吸附实现分离，配合 “暴风雪法” 分子筛装填工艺，避免高压气流导致的分子筛粉化，确保长期稳定产气。

精准纯度控制：搭载进口在线分析仪，实时监控氮气纯度，纯度可在 99%-99.999% 之间灵活调节，且当纯度波动时会自动声光报警。

高效稳定输出：每小时 20 立方的产气能力，搭配 0-0.8MPa 可调压力，满足不同产线的动态需求，开机 10-15 分钟即可达标供气，实现无人值守全自动运行。

光刻工艺保护：氮气吹扫光刻设备内部，创造无氧环境，防止光刻胶曝光时氧化，使电路图案转移精度提升 40%，线宽误差控制在 ±1.5nm 内。

CVD 工艺载气：作为化学气相沉积的载气，将硅烷等前驱体均匀输送至反应腔，同时清除 HCl 等副产物，保障沉积薄膜的均匀性与附着力。

退火处理防护：在快速热退火工艺中，氮气保护下的晶圆既能修复晶格缺陷，又能避免铝、铜互连线氧化，使信号传输稳定性提升 20%。

金属互连防氧化：在芯片键合工序中，20 立方的高纯氮气持续覆盖，使金线焊接强度提升 15%，氧化失效案例减少 80%。某存储芯片厂应用后，金属互连缺陷率从 0.5% 降至 0.03%。

塑封气泡控制：氮气填充封装腔体，抑制环氧树脂与氧气反应，将封装气泡率从 0.8% 降至 0.05%，使 CPU 封装良率从 97.2% 提升至 99.6%。

测试环境保障：测试前用氮气吹扫探针台，可将颗粒物浓度从 1000 级洁净度提升至 100 级，误测率降低 60%。

成本优势：空气取自自然，仅需压缩空气和电源即可运行，运行成本较瓶装氮气降低 60% 以上。

服务保障：本土化生产带来更短货期（较进口设备缩短 50% 以上），且备件供应与技术支持响应更及时。

适配性强：模块化设计占地面积小，可根据产线扩展灵活调整，从中小规模封装厂到大型晶圆厂均能适配。